Microsense電容式位移傳感器具有一般非接觸式儀器所共有的非接觸式特點(diǎn)外，還具有信噪比高，靈敏度高，零漂小，頻響寬，非線性小，精度穩(wěn)定性好，抗電磁干擾能力強(qiáng)和使用操作方便等優(yōu)點(diǎn)。目前，Microsense電容式位移傳感器在國(guó)內(nèi)研究所，高等院校、工廠等部門(mén)得到廣泛應(yīng)用，成為科研、教學(xué)和生產(chǎn)中一種不能缺少的測(cè)試儀器。Microsense電容式位移傳感器的分類簡(jiǎn)介：1、被動(dòng)式：被動(dòng)式位移傳感器為一種非接觸式精密位置傳感器。基于追求最佳的線性和穩(wěn)定性而設(shè)計(jì)，其測(cè)量帶寬高達(dá)20千...

晶圓鍵合的概述：由于光刻的延遲和功率限制的綜合影響，制造商無(wú)法水平縮放，因此制造商正在垂直堆疊芯片設(shè)備，含三維集成技術(shù)。由于移動(dòng)設(shè)備的激增推動(dòng)了對(duì)更小電路尺寸的需求，這已變得至關(guān)重要，但這種轉(zhuǎn)變并不總是那么簡(jiǎn)單。三維集成方案可以采用多種形式，具體取決于所需的互連密度。圖像傳感器和高密度存儲(chǔ)器可能需要將一個(gè)芯片直接堆疊在另一個(gè)芯片上，并通過(guò)硅通孔連接，而系統(tǒng)級(jí)封裝設(shè)計(jì)可能會(huì)將多個(gè)傳感器及其控制邏輯放在一個(gè)重新分配層上。晶圓鍵合的業(yè)內(nèi)行情：EVGroup業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)ThomasU...

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤(pán)，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋寝┝餍械陌雽?dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤(pán)的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。劃刻并...

一、用途光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一，按照用途可以分為好幾種：有用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)；有用于封裝的光刻機(jī)；還有用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。二、工作原理在加工芯片的過(guò)程中，光刻機(jī)通過(guò)一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過(guò)畫(huà)著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過(guò)一次光刻的芯片可以...

現(xiàn)在光刻機(jī)與我們的生活息息相關(guān)，我們用的手機(jī)，電腦等各種各樣的電子產(chǎn)品，里面的芯片制作離不開(kāi)光刻機(jī)。如今的世界是一個(gè)信息社會(huì)，各種各樣的信息流在世界流動(dòng)。而光刻機(jī)的技術(shù)是保證制造承載信息的載體。在社會(huì)上擁有不可替代的作用。光刻機(jī)的技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域：平版印刷術(shù)用于在用戶不希望影響其整個(gè)樣品的工藝步驟（主要是沉積或蝕刻）之前對(duì)樣品進(jìn)行構(gòu)圖。在蝕刻之前，使用光刻技術(shù)來(lái)形成抗蝕劑保護(hù)層，該保護(hù)層僅將材料保留在存在抗蝕劑的位置（負(fù)圖案）。在使用沉積光刻進(jìn)行剝離之前，在沉積之后剝離抗蝕劑，僅...